»ó´Ü¿©¹é
HOME ´º½º ´ëÇÐ
Çѱ¹±³Åë´ëÇб³, À¶ÇÕ±â¼ú´ëÇÐ ÀüÀÚ°øÇаú Çкλýµé SCI ³í¹® µîÀç

Çѱ¹±³Åë´ëÇб³(ÃÑÀå ¹ÚÁØÈÆ) À¶ÇÕ±â¼ú´ëÇÐ ÀüÀÚ°øÇаú 4Çг⠱èÀ±Àç, ÀÌÁ¾¿ø ÇлýÀÌ SCI±Þ ±¹Á¦ÇмúÁö 'Electronics(IF=2.412)’¿¡ °¢°¢ Á¦1ÀúÀÚ·Î ³í¹®À» µîÀçÇÏ¿´´Ù.

±èÀ±Àç ÇлýÀº ¿ìÁÖ¹æ»ç¼± ȯ°æ¿¡¼­ ¹ÝµµÃ¼¿¡ ¹ß»ýÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ¹®Á¦ Áß ÇϳªÀÎ Single Event Upset(SEU)¿¡ °üÇÑ ¿¬±¸¸¦ ÅëÇØ ‘The Analysis of SEU in Nanowire FETs and Nanosheet FETs’ ³í¹®À» °ÔÀçÇÏ¿´°í, ÀÌÁ¾¿ø ÇлýÀº ¹æ»ç¼±¿¡ ÀÇÇÑ ´Ù¸¥ Çö»óÀÎ Total Ionizing Dose(TID)Çö»óÀ» ¿¬±¸ÇÑ ‘TID Circuit Simulation in Nanowire FETs and Nanosheet FETs’³í¹®À» °ÔÀçÇÏ¿´´Ù.

ÇлýµéÀº 3ÇгâºÎÅÍ Çкבּ¸»ý È°µ¿À» ¿ìÁÖ¹æ»ç¼± ȯ°æ¿¡¼­ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ¿î¿ë ¹× ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ» ÁýÁßÀûÀ¸·Î ¿¬±¸¸¦ ÇÏ¿© °³ÀÎ ±â·®À» Çâ»ó½ÃŲ µÚ À̵éÀº °¢°¢ ¿¬±¸ÁÖÁ¦¸¦ ¼³Á¤ÇÏ¿© ÁÁÀº °á°ú¸¦ ¾ò¾î ³¾ ¼ö ÀÖ¾ú´Ù. ¶ÇÇÑ ±èÀ±Àç ÇлýÀº ÀÛ³â Çѱ¹Àü±âÀüÀÚÇÐȸ ÇÏ°èÇмú´ëȸ¿¡¼­ °ü·Ã ÁÖÁ¦·Î ¿ì¼ö³í¹®»óÀ» ¹Þ¾Ò´Ù.

ÀÌÁ¾¿ø ÇлýÀº “¼ö¸¹Àº ½ÃÇàÂø¿À ³¡¿¡ ³í¹®À» ¿Ï¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ¾ú´Ù”¸ç “À̹ø µµÀüÀ» °è±â·Î ´ëÇпø ÁøÇÐÀ» °á½ÉÇß°í, ´ëÇпø¿¡¼­ÀÇ ¿¬±¸¿¡µµ À̹ø °æÇèÀÌ Å« µµ¿òÀÌ µÉ °ÍÀ¸·Î »ý°¢ÇÑ´Ù.”°í ¸»Çß´Ù.

±èÀ±Àç ÇлýÀº “1³â ¿© °£ °øÇÐ Çкλý ¿¬±¸¸¦ ÅëÇØ ÇкλýÀ¸·Î¼­´Â Çϱ⠾î·Á¿î °æÇèÀ» Çغ¸°í, ³í¹®±îÁö Àú³Î¿¡ °ÔÀçÇÏ°Ô µÇ¾î ³Ê¹« ±â»Ú´Ù.”¶ó°í ¼Ò°¨À» ¹àÇû´Ù.

±¹¸³Çѱ¹±³Åë´ëÇб³ ÀüÀÚ°øÇаú °­¸í°ï ±³¼ö(Áöµµ±³¼ö)´Â “´ëÇпø»ýÀÌ ¾Æ´Ñ ÇкλýÀÌ SCI±Þ ÇмúÁö¿¡ 1ÀúÀÚ·Î ³í¹®À» °ÔÀçÇÏ´Â °ÍÀº µå¹® ÀÏ”À̶ó¸ç, “¿­Á¤À» °¡Áø Çлý°ú ÇÔ²² ¿¬±¸ÇÏ´Â °ÍÀÌ Áñ°Ì°í º¸¶÷ ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» »õ»ï ±ú´Þ¾Ò´Ù.”°í ¸»Çß´Ù.

ÇÑÆí, À̹ø ¿¬±¸´Â Çѱ¹¿¬±¸Àç´Ü Â÷¼¼´ëÁö´ÉÇü¹ÝµµÃ¼±â¼ú°³¹ß(¼ÒÀÚ)»ç¾÷ ¹× 2018³â ÀÌ°ø°è ´ëÇÐÁßÁ¡¿¬±¸¼Ò »ç¾÷ÀÇ Áö¿øÀ¸·Î ¼öÇàµÇ¾ú´Ù.

°ûÀç±Ù ±âÀÚ  news@jbfocus.co.kr

<ÀúÀÛ±ÇÀÚ © ÁߺÎÆ÷Ä¿½º, ¹«´Ü ÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷ ±ÝÁö>

°ûÀç±Ù ±âÀÚÀÇ ´Ù¸¥±â»ç º¸±â
iconÀαâ±â»ç
±â»ç ´ñ±Û 0°³
Àüüº¸±â
ù¹ø° ´ñ±ÛÀ» ³²°ÜÁÖ¼¼¿ä.
¿©¹é
¿©¹é
¿©¹é
¿©¹é
¿©¹é
¿©¹é
Back to Top