충북대학교(총장 고창섭) 반도체공학부 김이경, 한아름(이상 4학년, 지도교수 강문희) 학생이 SCIE급 저널인 Solid State Electronics에 1저자로 논문을 게재하여 주목받고 있다.

이번 논문은 “Spin-on dopant technology for cost-effective source/drain formation in silicon MOSFETs”로, 기존의 고비용 이온주입 공정을 대체할 수 있는 신기술을 제안했다.

이 기술은 실리콘 MOSFET의 소스와 드레인을 형성하는 공정으로, 기존 이온주입 공정 대비 동등한 수준의 성능을 구현하여 비용 효율성을 크게 향상시켰다. 연구팀은 실험적 최적화 과정과 TCAD 시뮬레이션, 샘플 제작 및 측정을 통해 이 기술의 우수성을 입증했다.

한편, Solid State Electronics는 전자소자 분야에서 오랜 전통과 높은 인용도를 자랑하는 권위 있는 저널로 이번 성과는 학부생 연구자들이 주도한 연구임에도 불구하고 큰 의미를 갖는다.

강문희 교수는 “김이경, 한아름 학생이 TCAD 시뮬레이션부터 샘플 준비 및 측정에 이르는 전 과정을 주도적으로 수행하며, 학부생으로서 SCIE 저널 1저자라는 뛰어난 성과를 이루어냈다”며 이번 연구 성과는 충북대학교 반도체공학부 학생들의 연구 역량과 우수성을 알리는 중요한 이정표가 될 것으로 기대된다고 밝혔다.

곽재근 기자  news@jbfocus.co.kr

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